Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 200V 9A 400 mOhm @ 5,4A, 5V 1100pF @ 25V 74W 40nC @ 10V TO-220-3 (gerade Anschlüsse) Diskrete Halbleiterprodukte
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB - IRL630 - Diskrete Halbleiterprodukte
Wenn die angeforderte Menge die in der Preistabelle angezeigten Mengen überschreitet, erscheint auf Ihrer Bestellung u.U. ein geringerer Einheitspreis.
|
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
(IRL630-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB - IRL630 (IRL630-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte
In Verbindung stehende Teile Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 200V 9A 400 mOhm @ 5,4A, 5V 1100pF @ 25V 74W 40nC @ 10V TO-220-3 (gerade Anschlüsse) Diskrete HalbleiterprodukteDurchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 200V 9A 400 mOhm @ 5,4A, 5V 1100pF @ 25V 74W 40nC @ 10V TO-220-3 (gerade Anschlüsse) Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB-IRL630 online bei Digi-Key. Hergestellt von Vishay/Siliconix. Digi-Key Teilnummer IRL630-ND.
Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 200V 9A 400 mOhm @ 5,4A, 10V 800pF @ 25V 74W 43nC @ 10V TO-220-3 (gerade Anschlüsse) Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB-IRF630 online bei Digi-Key. Hergestellt von Vishay/Siliconix. Digi-Key Teilnummer IRF630-ND.
Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 200V 9A 400 mOhm @ 5,4A, 10V 800pF @ 25V 74W 43nC @ 10V TO-220-3 (gerade Anschlüsse) Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB-IRF630PBF online bei Digi-Key. Hergestellt von Vishay/Siliconix. Digi-Key Teilnummer IRF630PBF-ND.
Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 200V 9A 400 mOhm @ 5,4A, 5V 1100pF @ 25V 74W 40nC @ 10V TO-220-3 (gerade Anschlüsse) Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB-IRL630PBF online bei Digi-Key. Hergestellt von Vishay/Siliconix. Digi-Key Teilnummer IRL630PBF-ND.
Oberflächenmontage MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 200V 9A 400 mOhm @ 5,4A, 5V 1100pF @ 25V 3,1W 40nC @ 10V D²Pak, TO-263 (2 Anschlüsse u. Kühlfahne) Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK-IRL630S online bei Digi-Key. Hergestellt von Vishay/Siliconix. Digi-Key Teilnummer IRL630S-ND.
Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 200V 9A 400 mOhm @ 4,5A, 10V 700pF @ 25V 75W 45nC @ 10V TO-220-3 (gerade Anschlüsse) Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-IRF630 online bei Digi-Key. Hergestellt von STMicroelectronics. Digi-Key Teilnummer 497-2757-5-ND.
Oberflächenmontage MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 200V 9A 400 mOhm @ 4,5A, 10V 550pF @ 25V 3,13W Band und Spule (Tape and Reel - TR) 25nC @ 10V D²Pak, TO-263 (2 Anschlüsse u. Kühlfahne) Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK-FQB630TM online bei Digi-Key. Hergestellt von Fairchild Semiconductor. Digi-Key Teilnummer FQB630TM-ND.
Oberflächenmontage MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 200V 9A 280 mOhm @ 4,5A, 10V 1080pF @ 25V 2,5W Band und Spule (Tape and Reel - TR) 21nC @ 5V DPak, SC-63,TO-252(2 Anschlüsse+Fahne) Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 200V 9A DPAK-FQD12N20LTF online bei Digi-Key. Hergestellt von Fairchild Semiconductor. Digi-Key Teilnummer FQD12N20LTF-ND.
Oberflächenmontage MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 200V 9A 280 mOhm @ 4,5A, 10V 1080pF @ 25V 2,5W Am Band (Cut Tape - CT) 21nC @ 5V DPak, SC-63,TO-252(2 Anschlüsse+Fahne) Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 200V 9A DPAK-FQD12N20LTM online bei Digi-Key. Hergestellt von Fairchild Semiconductor (VA). Digi-Key Teilnummer FQD12N20LTMCT-ND.
Oberflächenmontage MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 200V 9A 280 mOhm @ 4,5A, 10V 1080pF @ 25V 2,5W Digi-Reel® 21nC @ 5V DPak, SC-63,TO-252(2 Anschlüsse+Fahne) Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 200V 9A DPAK-FQD12N20LTM online bei Digi-Key. Hergestellt von Fairchild Semiconductor (VA). Digi-Key Teilnummer FQD12N20LTMDKR-ND.

Quick-Links:




