NPN 160V 600mA 625mW 80 @ 10mA, 5V 200mV @ 5mA, 50mA 100MHz Durchführungsloch TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226 Diskrete Halbleiterprodukte

AMP GP NPN 160V 600MA TO-92 - 2N5551TAR - Diskrete Halbleiterprodukte

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2N5551TAR-ND

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2N5551TAR

Beschreibung

AMP GP NPN 160V 600MA TO-92

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NPN 160V 600mA 625mW 80 @ 10mA, 5V 200mV @ 5mA, 50mA 100MHz Durchführungsloch TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226

Technische Information	2N5551TAR
Hersteller	Fairchild Semiconductor
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Transistor-Typ	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	160V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	600mA
Leistung - max.	625mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic	200mV @ 5mA, 50mA
Frequenz - Übergang	100MHz
Strom - Kollektorrest (Ic) (max.)	-
Montagetyp	Durchführungsloch
Verpackung / Behälter	TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226
Bleifrei Status	Lead Free
RoHS Status	RoHS Compliant
Andere Namen	2N5551TAR 2N5551TAR

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AMP GP NPN 160V 600MA TO-92 - 2N5551TAR
(2N5551TAR-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

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