NPN 45V 100mA 625mW 600 @ 10mA, 5V 200mV @ 500µA, 10mA Durchführungsloch TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226 Diskrete Halbleiterprodukte

AMP GP NPN 45V 10MA TO-92 - 2N5962_D74Z - Diskrete Halbleiterprodukte

All prices are in EUR. Digi-Key Teilenummer 2N5962_D74Z-ND Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis Call Call Call Hersteller-Teilenummer 2N5962_D74Z Beschreibung AMP GP NPN 45V 10MA TO-92 Verfügbare Menge 0 Value Added Item Obsolete item; call Digi-Key for more information. NPN 45V 100mA 625mW 600 @ 10mA, 5V 200mV @ 500µA, 10mA Durchführungsloch TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226 Technische Information 2N5962_D74Z Hersteller Fairchild Semiconductor Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistor-Typ NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 45V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Leistung - max. 625mW Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 600 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic 200mV @ 500µA, 10mA Frequenz - Übergang - Strom - Kollektorrest (Ic) (max.) - Montagetyp Durchführungsloch Verpackung / Behälter TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226 Bleifrei Status Lead Free RoHS Status RoHS Compliant Andere Namen 2N5962_D74Z 2N5962_D74Z

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt. AMP GP NPN 45V 10MA TO-92 - 2N5962_D74Z (2N5962_D74Z-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

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In Verbindung stehende Teile NPN 45V 100mA 625mW 600 @ 10mA, 5V 200mV @ 500µA, 10mA Durchführungsloch TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226 Diskrete Halbleiterprodukte
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NPN 45V 100mA 625mW 600 @ 10mA, 5V 200mV @ 500µA, 10mA Durchführungsloch TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226 Diskrete Halbleiterprodukte
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NPN 45V 100mA 625mW 500 @ 10mA, 5V 300mV @ 5mA, 50mA 100MHz Durchführungsloch TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226 Diskrete Halbleiterprodukte
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NPN 45V 500mA 625mW 300 @ 10mA, 1V 400mV @ 20mA, 200mA 250MHz 50nA Durchführungsloch TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226 Diskrete Halbleiterprodukte
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NPN 45V 500mA 625mW 100 @ 150mA, 5V 400mV @ 20mA, 200mA 250MHz 50nA Durchführungsloch TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226 Diskrete Halbleiterprodukte
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NPN 60V 100mA 625mW 150 @ 10mA, 5V 200mV @ 500µA, 10mA Durchführungsloch TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226 Diskrete Halbleiterprodukte
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NPN 45V 100mA 625mW 500 @ 10mA, 5V 300mV @ 5mA, 50mA 100MHz Durchführungsloch TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226 Diskrete Halbleiterprodukte
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NPN 45V 100mA 625mW 500 @ 10mA, 5V 300mV @ 5mA, 50mA 100MHz Durchführungsloch TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226 Diskrete Halbleiterprodukte
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NPN 45V 100mA 625mW 500 @ 10mA, 5V 300mV @ 5mA, 50mA 100MHz Durchführungsloch TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226 Diskrete Halbleiterprodukte
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