2 NPN - vorgespannt (zweif.) 50V 100mA 500mW 4,7K 47K 250mV @ 1mA, 10mA 500nA 80 @ 5mA, 10V Diskrete Halbleiterprodukte

TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563 - NSBC143ZDXV6T1 - Diskrete Halbleiterprodukte

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NSBC143ZDXV6T1OS-ND

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NSBC143ZDXV6T1

Beschreibung

TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563

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2 NPN - vorgespannt (zweif.) 50V 100mA 500mW 4,7K 47K 250mV @ 1mA, 10mA 500nA 80 @ 5mA, 10V

Technische Information	NSBC143ZDXV6T1
Hersteller	ON Semiconductor
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Transistor-Typ	2 NPN - vorgespannt (zweif.)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	50V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	100mA
Leistung - max.	500mW
Widerstand - Basis (R1) (Ohm)	4,7K
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm)	47K
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic	250mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorrest (Ic) (max.)	500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V
Frequenz - Übergang	-
Bleifrei Status	Contains Lead
RoHS Status	RoHS Non-Compliant
Andere Namen	NSBC143ZDXV6T1 NSBC143ZDXV6T1 NSBC143ZDXV6T1OS ND NSBC143ZDXV6T1OSND NSBC143ZDXV6T1OS

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TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563 - NSBC143ZDXV6T1
(NSBC143ZDXV6T1OS-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

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