Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 560V 7,6A 600 mOhm @ 4,6A, 10V 750pF @ 25V 32W 32nC @ 10V TO-220FP Diskrete Halbleiterprodukte

MOSFET N-CH 560V 7.6A TO220FP - SPA08N50C3

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Digi-Key Teilenummer

SPA08N50C3IN-ND

Preisreduzierung	Einheitspreis	Gesamtpreis
1	1.35	1.35
10	1.09	10.90
100	0.9811	98.11
500	0.76306	381.53
1000	0.63224	632.24

Hersteller-Teilenummer

SPA08N50C3

Beschreibung

MOSFET N-CH 560V 7.6A TO220FP

Verfügbare Menge

7286

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Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 560V 7,6A 600 mOhm @ 4,6A, 10V 750pF @ 25V 32W 32nC @ 10V TO-220FP

Technische Information	SPA08N50C3
Hersteller	Infineon Technologies
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Montagetyp	Durchführungsloch
Typ FET	MOSFET-N-Kanal, Metalloxid
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss)	560V
Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C	7,6A
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C	600 mOhm @ 4,6A, 10V
Eingangskapazität (Ciss) @ Vds	750pF @ 25V
Leistung - max.	32W
Verpackung	Rohr
Gateaufladung (Qg) @ Vgs	32nC @ 10V
Verpackung / Behälter	TO-220FP
Bleifrei Status	Lead Free
RoHS Status	RoHS Compliant
Andere Namen	SPA08N50C3 SPA08N50C3 SPA08N50C3IN ND SPA08N50C3INND SPA08N50C3IN

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MOSFET N-CH 560V 7.6A TO220FP - SPA08N50C3
(SPA08N50C3IN-ND)

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In Verbindung stehende Teile Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 560V 7,6A 600 mOhm @ 4,6A, 10V 750pF @ 25V 32W 32nC @ 10V TO-220FP Diskrete Halbleiterprodukte
Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 560V 7,6A 600 mOhm @ 4,6A, 10V 750pF @ 25V 32W 32nC @ 10V TO-220FP Diskrete Halbleiterprodukte
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Oberflächenmontage MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 560V 7,6A 600 mOhm @ 4,6A, 10V 750pF @ 25V 83W Band und Spule (Tape and Reel - TR) 32nC @ 10V DPak, SC-63,TO-252(2 Anschlüsse+Fahne) Diskrete Halbleiterprodukte
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Oberflächenmontage MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 560V 7,6A 600 mOhm @ 4,6A, 10V 750pF @ 25V 83W Am Band (Cut Tape - CT) 32nC @ 10V DPak, SC-63,TO-252(2 Anschlüsse+Fahne) Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK-SPD08N50C3 online bei Digi-Key. Hergestellt von Infineon Technologies (VA). Digi-Key Teilnummer SPD08N50C3INCT-ND.
Oberflächenmontage MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 560V 7,6A 600 mOhm @ 4,6A, 10V 750pF @ 25V 83W Digi-Reel® 32nC @ 10V DPak, SC-63,TO-252(2 Anschlüsse+Fahne) Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK-SPD08N50C3 online bei Digi-Key. Hergestellt von Infineon Technologies (VA). Digi-Key Teilnummer SPD08N50C3INDKR-ND.
Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 560V 7,6A 600 mOhm @ 4,6A, 10V 750pF @ 25V 32W 32nC @ 10V I²Pak, TO-262 (3 gerade Anschlüsse + Fahne) Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-262-SPI08N50C3 online bei Digi-Key. Hergestellt von Infineon Technologies. Digi-Key Teilnummer SPI08N50C3IN-ND.
Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 560V 7,6A 600 mOhm @ 4,6A, 10V 750pF @ 25V 83W Band und Spule (Tape and Reel - TR) 32nC @ 10V TO-220AB Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-220AB-SPP08N50C3 online bei Digi-Key. Hergestellt von Infineon Technologies. Digi-Key Teilnummer SPP08N50C3IN-ND.
Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 560V 21A 190 mOhm @ 13,1A, 10V 2400pF @ 25V 34,5W 95nC @ 10V TO-220FP Diskrete Halbleiterprodukte
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Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 560V 4,5A 950 mOhm @ 2,8A, 10V 470pF @ 25V 31W 22nC @ 10V TO-220F Diskrete Halbleiterprodukte
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Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 560V 11,6A 380 mOhm @ 7A, 10V 1200pF @ 25V 33W 49nC @ 10V TO-220FP Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220FP-SPA12N50C3 online bei Digi-Key. Hergestellt von Infineon Technologies. Digi-Key Teilnummer SPA12N50C3IN-ND.
Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 560V 16A 280 mOhm @ 10A, 10V 1600pF @ 25V 34W 66nC @ 10V TO-220FP Diskrete Halbleiterprodukte
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