Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 800V 11A 400 mOhm @ 5,5A, 10V 1630pF @ 25V 150W 43,6nC @ 10V TO-220-3 (gerade Anschlüsse) Diskrete Halbleiterprodukte

MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 - STP11NM80 - Diskrete Halbleiterprodukte

All prices are in EUR.

Digi-Key Teilenummer

497-4369-5-ND

Preisreduzierung	Einheitspreis	Gesamtpreis
1	4.5	4.50
10	4.015	40.15
100	3.2923	329.23
250	2.97112	742.78
500	2.66596	1332.98
1000	2.2484	2248.40
2500	2.13598	5339.95

Hersteller-Teilenummer

STP11NM80

Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Verfügbare Menge

1182

Bestellen Sie: Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 800V 11A 400 mOhm @ 5,5A, 10V 1630pF @ 25V 150W 43,6nC @ 10V TO-220-3 (gerade Anschlüsse) Diskrete Halbleiterprodukte

Menge	Artikel-Nr.	Kundenreferenz

Wenn die angeforderte Menge die in der Preistabelle angezeigten Mengen überschreitet, erscheint auf Ihrer Bestellung u.U. ein geringerer Einheitspreis.
Sie können ein Preisangebot für Mengen anfordern, die größer sind als die in der Preistabelle angegeben Mengen.

Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 800V 11A 400 mOhm @ 5,5A, 10V 1630pF @ 25V 150W 43,6nC @ 10V TO-220-3 (gerade Anschlüsse)

Technische Information	STP11NM80
Hersteller	STMicroelectronics
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Montagetyp	Durchführungsloch
Typ FET	MOSFET-N-Kanal, Metalloxid
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss)	800V
Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C	11A
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C	400 mOhm @ 5,5A, 10V
Eingangskapazität (Ciss) @ Vds	1630pF @ 25V
Leistung - max.	150W
Verpackung	Rohr
Gateaufladung (Qg) @ Vgs	43,6nC @ 10V
Verpackung / Behälter	TO-220-3 (gerade Anschlüsse)
Bleifrei Status	Lead Free
RoHS Status	RoHS Compliant
Andere Namen	STP11NM80 STP11NM80 497 4369 5 ND 49743695ND 497-4369-5

Image of MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 - STP11NM80

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 - STP11NM80
(497-4369-5-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 - STP11NM80 (497-4369-5-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

In Verbindung stehende Teile Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 800V 11A 400 mOhm @ 5,5A, 10V 1630pF @ 25V 150W 43,6nC @ 10V TO-220-3 (gerade Anschlüsse) Diskrete Halbleiterprodukte
Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 800V 11A 400 mOhm @ 5,5A, 10V 1630pF @ 25V 150W 43,6nC @ 10V TO-220-3 (gerade Anschlüsse) Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 800V 11A TO-220-STP11NM80 online bei Digi-Key. Hergestellt von STMicroelectronics. Digi-Key Teilnummer 497-4369-5-ND.
Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 800V 11A 450 mOhm @ 7,1A, 10V 1585pF @ 25V 156W 60nC @ 10V TO-220 Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 800V 11A TO-220-APT11N80KC3G online bei Digi-Key. Hergestellt von Microsemi Power Products Group. Digi-Key Teilnummer APT11N80KC3G-ND.
Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 800V 11A 400 mOhm @ 5,5A, 10V 1630pF @ 25V 35W 43,6nC @ 10V TO-220-3 Full Pack (gerade Anschlüsse) Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP-STF11NM80 online bei Digi-Key. Hergestellt von STMicroelectronics. Digi-Key Teilnummer 497-4338-5-ND.
Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 800V 11A 450 mOhm @ 7,1A, 10V 1600pF @ 100V 156W 85nC @ 10V TO-247 Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 800V 11A TO-247-SPW11N80C3 online bei Digi-Key. Hergestellt von Infineon Technologies. Digi-Key Teilnummer SPW11N80C3IN-ND.
Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 800V 11A 800 mOhm @ 5,5A, 10V 2900pF @ 25V 190W 70nC @ 10V TO-247-3 Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 800V 11A TO-247-STW11NB80 online bei Digi-Key. Hergestellt von STMicroelectronics. Digi-Key Teilnummer 497-2789-5-ND.
Oberflächenmontage MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 800V 11A 400 mOhm @ 5,5A, 10V 1630pF @ 25V 150W Am Band (Cut Tape - CT) 43,6nC @ 10V D²Pak, TO-263 (2 Anschlüsse u. Kühlfahne) Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK-STB11NM80T4 online bei Digi-Key. Hergestellt von STMicroelectronics (VA). Digi-Key Teilnummer 497-4319-1-ND.
Oberflächenmontage MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 800V 11A 400 mOhm @ 5,5A, 10V 1630pF @ 25V 150W Band und Spule (Tape and Reel - TR) 43,6nC @ 10V D²Pak, TO-263 (2 Anschlüsse u. Kühlfahne) Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK-STB11NM80T4 online bei Digi-Key. Hergestellt von STMicroelectronics. Digi-Key Teilnummer 497-4319-2-ND.
Oberflächenmontage MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 800V 11A 400 mOhm @ 5,5A, 10V 1630pF @ 25V 150W Digi-Reel® 43,6nC @ 10V D²Pak, TO-263 (2 Anschlüsse u. Kühlfahne) Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK-STB11NM80T4 online bei Digi-Key. Hergestellt von STMicroelectronics (VA). Digi-Key Teilnummer 497-4319-6-ND.
Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 800V 11A 400 mOhm @ 5,5A, 10V 1630pF @ 25V 150W 43,6nC @ 10V TO-247-3 Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 800V 11A TO-247-STW11NM80 online bei Digi-Key. Hergestellt von STMicroelectronics. Digi-Key Teilnummer 497-4420-5-ND.
Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 800V 11A 450 mOhm @ 7,1A, 10V 1585pF @ 25V 156W 60nC @ 10V TO-247 Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 800V 11A TO-247-APT11N80BC3G online bei Digi-Key. Hergestellt von Microsemi Power Products Group. Digi-Key Teilnummer APT11N80BC3G-ND.