Durchführungsloch MOSFET-P-Kanal, Metalloxid 200V 12A 500 mOhm @ 7,2A, 10V 1200pF @ 25V 150W 44nC @ 10V TO-247-3 (gerade Anschlüsse), TO-247AC Diskrete Halbleiterprodukte

MOSFET P-CH 200V 12A TO-247AC - IRFP9240PBF - Diskrete Halbleiterprodukte

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Digi-Key Teilenummer

IRFP9240PBF-ND

Preisreduzierung	Einheitspreis	Gesamtpreis
1	4.1	4.10
25	3.4128	85.32
100	2.8667	286.67
250	2.32068	580.17
500	1.9794	989.70
1000	1.84289	1842.89
2500	1.74733	4368.32
5000	1.70638	8531.90
10000	1.67225	16722.50

Hersteller-Teilenummer

IRFP9240PBF

Beschreibung

MOSFET P-CH 200V 12A TO-247AC

Verfügbare Menge

8900

Bestellen Sie: Durchführungsloch MOSFET-P-Kanal, Metalloxid 200V 12A 500 mOhm @ 7,2A, 10V 1200pF @ 25V 150W 44nC @ 10V TO-247-3 (gerade Anschlüsse), TO-247AC Diskrete Halbleiterprodukte

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Durchführungsloch MOSFET-P-Kanal, Metalloxid 200V 12A 500 mOhm @ 7,2A, 10V 1200pF @ 25V 150W 44nC @ 10V TO-247-3 (gerade Anschlüsse), TO-247AC

Technische Information	IRFP9240PBF
Hersteller	Vishay/Siliconix
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Montagetyp	Durchführungsloch
Typ FET	MOSFET-P-Kanal, Metalloxid
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss)	200V
Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C	12A
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C	500 mOhm @ 7,2A, 10V
Eingangskapazität (Ciss) @ Vds	1200pF @ 25V
Leistung - max.	150W
Verpackung	Rohr
Gateaufladung (Qg) @ Vgs	44nC @ 10V
Verpackung / Behälter	TO-247-3 (gerade Anschlüsse), TO-247AC
Bleifrei Status	Lead Free
RoHS Status	RoHS Compliant
Andere Namen	IRFP9240PBF IRFP9240PBF

Image of MOSFET P-CH 200V 12A TO-247AC - IRFP9240PBF

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

MOSFET P-CH 200V 12A TO-247AC - IRFP9240PBF
(IRFP9240PBF-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

MOSFET P-CH 200V 12A TO-247AC - IRFP9240PBF (IRFP9240PBF-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

In Verbindung stehende Teile Durchführungsloch MOSFET-P-Kanal, Metalloxid 200V 12A 500 mOhm @ 7,2A, 10V 1200pF @ 25V 150W 44nC @ 10V TO-247-3 (gerade Anschlüsse), TO-247AC Diskrete Halbleiterprodukte
Durchführungsloch MOSFET-P-Kanal, Metalloxid 200V 12A 500 mOhm @ 7,2A, 10V 1200pF @ 25V 150W 44nC @ 10V TO-247-3 (gerade Anschlüsse), TO-247AC Diskrete Halbleiterprodukte
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Durchführungsloch MOSFET-P-Kanal, Metalloxid 200V 12A 500 mOhm @ 7,2A, 10V 1200pF @ 25V 150W 44nC @ 10V TO-247-3 (gerade Anschlüsse), TO-247AC Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET P-CH 200V 12A TO-247AC-IRFP9240 online bei Digi-Key. Hergestellt von Vishay/Siliconix. Digi-Key Teilnummer IRFP9240-ND.
Durchführungsloch MOSFET-P-Kanal, Metalloxid 200V 12A 1500pF @ 30V 150W Masse TO-3P(L) (2-21F1B) Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET P-CH 200V 12A TO-3PL-2SJ201-Y(F) online bei Digi-Key. Hergestellt von Toshiba. Digi-Key Teilnummer 2SJ201YF-ND.
Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 200V 12A 900pF @ 30V 150W Masse TO-3P(L) (2-21F1B) Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 200V 12A TO-3PL-2SK1530-Y(F) online bei Digi-Key. Hergestellt von Toshiba. Digi-Key Teilnummer 2SK1530YF-ND.
Oberflächenmontage MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 200V 1,2A 730 mOhm @ 720mA, 10V 280pF @ 25V 2,5W 14nC @ 10V 8-SOIC (3,9 mm breit) Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC-IRF7464 online bei Digi-Key. Hergestellt von International Rectifier. Digi-Key Teilnummer IRF7464-ND.
Oberflächenmontage MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 200V 1,2A 730 mOhm @ 720mA, 10V 280pF @ 25V 2,5W 14nC @ 10V 8-SOIC (3,9 mm breit) Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC-IRF7464PBF online bei Digi-Key. Hergestellt von International Rectifier. Digi-Key Teilnummer IRF7464PBF-ND.
Oberflächenmontage MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 200V 1,2A 730 mOhm @ 720mA, 10V 280pF @ 25V 2,5W Am Band (Cut Tape - CT) 14nC @ 10V 8-SOIC (3,9 mm breit) Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC-IRF7464TRPBF online bei Digi-Key. Hergestellt von International Rectifier (VA). Digi-Key Teilnummer IRF7464PBFCT-ND.
Oberflächenmontage MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 200V 1,2A 730 mOhm @ 720mA, 10V 280pF @ 25V 2,5W Digi-Reel® 14nC @ 10V 8-SOIC (3,9 mm breit) Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC-IRF7464TRPBF online bei Digi-Key. Hergestellt von International Rectifier (VA). Digi-Key Teilnummer IRF7464PBFDKR-ND.
Oberflächenmontage MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 200V 1,2A 730 mOhm @ 720mA, 10V 280pF @ 25V 2,5W Band und Spule (Tape and Reel - TR) 14nC @ 10V 8-SOIC (3,9 mm breit) Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC-IRF7464TRPBF online bei Digi-Key. Hergestellt von International Rectifier. Digi-Key Teilnummer IRF7464PBFTR-ND.
Oberflächenmontage MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 200V 1,2A 730 mOhm @ 720mA, 10V 280pF @ 25V 2,5W Band und Spule (Tape and Reel - TR) 14nC @ 10V 8-SOIC (3,9 mm breit) Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC-IRF7464TR online bei Digi-Key. Hergestellt von International Rectifier. Digi-Key Teilnummer IRF7464TR-ND.