Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 600V 20A 190 mOhm @ 10A, 10V 3080pF @ 25V 208W 98nC @ 10V TO-247-3 Diskrete Halbleiterprodukte

MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 - FCH20N60 - Diskrete Halbleiterprodukte

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Digi-Key Teilenummer

FCH20N60-ND

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Hersteller-Teilenummer

FCH20N60

Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 20A TO-247

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Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 600V 20A 190 mOhm @ 10A, 10V 3080pF @ 25V 208W 98nC @ 10V TO-247-3

Technische Information	FCH20N60
Hersteller	Fairchild Semiconductor
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Montagetyp	Durchführungsloch
Typ FET	MOSFET-N-Kanal, Metalloxid
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss)	600V
Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C	20A
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C	190 mOhm @ 10A, 10V
Eingangskapazität (Ciss) @ Vds	3080pF @ 25V
Leistung - max.	208W
Verpackung	Rohr
Gateaufladung (Qg) @ Vgs	98nC @ 10V
Verpackung / Behälter	TO-247-3
Bleifrei Status	Lead Free
RoHS Status	RoHS Compliant
Andere Namen	FCH20N60 FCH20N60

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MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 - FCH20N60
(FCH20N60-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

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In Verbindung stehende Teile Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 600V 20A 190 mOhm @ 10A, 10V 3080pF @ 25V 208W 98nC @ 10V TO-247-3 Diskrete Halbleiterprodukte
Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 600V 20A 190 mOhm @ 10A, 10V 3080pF @ 25V 208W 98nC @ 10V TO-247-3 Diskrete Halbleiterprodukte
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Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 600V 20A 190 mOhm @ 13A, 10V 3000pF @ 25V 208W 103nC @ 10V TO-247 Diskrete Halbleiterprodukte
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Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 600V 20A 290 mOhm @ 10A, 10V 1300pF @ 25V 214W 37nC @ 10V TO-247-3 Diskrete Halbleiterprodukte
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Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 600V 20A 290 mOhm @ 10A, 10V 1500pF @ 25V 192W 54nC @ 10V TO-247-3 Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 600V 20A TO-247-STW20NM60 online bei Digi-Key. Hergestellt von STMicroelectronics. Digi-Key Teilnummer 497-3263-5-ND.
Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 600V 20A 165 mOhm @ 10A, 10V 1800pF @ 50V 140W 60nC @ 10V TO-247-3 Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 600V 20A TO-247-STW26NM60N online bei Digi-Key. Hergestellt von STMicroelectronics. Digi-Key Teilnummer 497-9066-5-ND.
Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 600V 20A 220 mOhm @ 13A, 10V 2520pF @ 25V 208W 95nC @ 10V TO-247 Diskrete Halbleiterprodukte
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Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 600V 20A 190 mOhm @ 13A, 10V 3000pF @ 25V 208W 103nC @ 10V TO-247 Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 600V 20A TO-247-SPW20N60C2 online bei Digi-Key. Hergestellt von Infineon Technologies. Digi-Key Teilnummer SPW20N60C2IN-ND.
Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 600V 20A 330 mOhm @ 10A, 10V 4250pF @ 25V 150W 60nC @ 10V 2-16C1B (TO-247 N) Diskrete Halbleiterprodukte
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Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 600V 20A 320 mOhm @ 10A, 10V 4250pF @ 25V 150W 60nC @ 10V 2-16C1B (TO-247 N) Diskrete Halbleiterprodukte
Bestellen Sie MOSFET N-CH 600V 20A SC-65-2SK3911(Q) online bei Digi-Key. Hergestellt von Toshiba. Digi-Key Teilnummer 2SK3911(Q)-ND.
Durchführungsloch MOSFET-N-Kanal, Metalloxid 600V 20A 290 mOhm @ 10A, 10V 1500pF @ 25V 192W 54nC @ 10V TO-220-3 (gerade Anschlüsse) Diskrete Halbleiterprodukte
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