HFET 4V 60mA 0,4dB 2GHz 17,5dB 2V 10mA Diskrete Halbleiterprodukte

AMP HJ-FET 2GHZ 4-SMINI - NE3509M04-A - Diskrete Halbleiterprodukte

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Digi-Key Teilenummer

NE3509M04-A-ND

Preisreduzierung	Einheitspreis	Gesamtpreis
1	1.35	1.35
10	1.124	11.24
50	1.0492	52.46
100	0.9493	94.93
500	0.8494	424.70
1000	0.74947	749.47

Hersteller-Teilenummer

NE3509M04-A

Beschreibung

AMP HJ-FET 2GHZ 4-SMINI

Verfügbare Menge

4166

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HFET 4V 60mA 0,4dB 2GHz 17,5dB 2V 10mA

Technische Information	NE3509M04-A
Hersteller	NEC
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Transistor-Typ	HFET
Nennspannung	4V
Strombewertung	60mA
Störwert	0,4dB
Frequenz	2GHz
Verstärkung	17,5dB
Spannung - Prüfung	2V
Strom - Test	10mA
Bleifrei Status	Lead Free
RoHS Status	RoHS Compliant
Andere Namen	NE3509M04 A NE3509M04A

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AMP HJ-FET 2GHZ 4-SMINI - NE3509M04-A
(NE3509M04-A-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

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HFET 4V 120mA 0,6dB 2GHz 16dB 2V 5mA Diskrete Halbleiterprodukte
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HFET 4V 120mA 0,6dB 2GHz 16dB 2V 5mA Diskrete Halbleiterprodukte
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