NPN 60V 100mA 625mW 150 @ 10mA, 5V 200mV @ 500µA, 10mA Durchführungsloch TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226 Diskrete Halbleiterprodukte

AMP GP NPN 60V 10MA TO-92 - 2N5961_D27Z - Diskrete Halbleiterprodukte

All prices are in EUR. Digi-Key Teilenummer 2N5961_D27Z-ND Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis Call Call Call Hersteller-Teilenummer 2N5961_D27Z Beschreibung AMP GP NPN 60V 10MA TO-92 Verfügbare Menge 0 Value Added Item Obsolete item; call Digi-Key for more information. NPN 60V 100mA 625mW 150 @ 10mA, 5V 200mV @ 500µA, 10mA Durchführungsloch TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226 Technische Information 2N5961_D27Z Hersteller Fairchild Semiconductor Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistor-Typ NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Leistung - max. 625mW Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic 200mV @ 500µA, 10mA Frequenz - Übergang - Strom - Kollektorrest (Ic) (max.) - Montagetyp Durchführungsloch Verpackung / Behälter TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226 Bleifrei Status Lead Free RoHS Status RoHS Compliant Andere Namen 2N5961_D27Z 2N5961_D27Z

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt. AMP GP NPN 60V 10MA TO-92 - 2N5961_D27Z (2N5961_D27Z-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

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In Verbindung stehende Teile NPN 60V 100mA 625mW 150 @ 10mA, 5V 200mV @ 500µA, 10mA Durchführungsloch TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226 Diskrete Halbleiterprodukte
NPN 60V 100mA 625mW 150 @ 10mA, 5V 200mV @ 500µA, 10mA Durchführungsloch TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226 Diskrete Halbleiterprodukte
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NPN 60V 500mA 625mW 100 @ 100mA, 1V 250mV @ 10mA, 100mA 100MHz 100nA Durchführungsloch TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226 Diskrete Halbleiterprodukte
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NPN 60V 500mA 625mW 100 @ 1mA, 5V 400mV @ 5mA, 100mA 150MHz 100nA Durchführungsloch TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226 Diskrete Halbleiterprodukte
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NPN 60V 50mA 625mW 150 @ 2mA, 5V 350mV @ 100µA, 1mA Durchführungsloch TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226 Diskrete Halbleiterprodukte
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NPN 60V 1A 625mW 40 @ 150mA, 1V 250mV @ 15mA, 150mA Durchführungsloch TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226 Diskrete Halbleiterprodukte
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NPN 45V 100mA 625mW 600 @ 10mA, 5V 200mV @ 500µA, 10mA Durchführungsloch TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226 Diskrete Halbleiterprodukte
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NPN 45V 100mA 625mW 600 @ 10mA, 5V 200mV @ 500µA, 10mA Durchführungsloch TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226 Diskrete Halbleiterprodukte
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NPN 45V 100mA 625mW 600 @ 10mA, 5V 200mV @ 500µA, 10mA Durchführungsloch TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226 Diskrete Halbleiterprodukte
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NPN 60V 500mA 625mW 100 @ 100mA, 1V 250mV @ 10mA, 100mA 100MHz 100nA Durchführungsloch TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226 Diskrete Halbleiterprodukte
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NPN 60V 500mA 625mW 100 @ 100mA, 1V 250mV @ 10mA, 100mA 100MHz 100nA Durchführungsloch TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226 Diskrete Halbleiterprodukte
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